High Thermal Conductivity DPAK (TO-252AA) SiC Diode

Uendeshaji wa Hali ya Juu ya Joto DPAK (TO-252AA) Picha Iliyoangaziwa ya Diode ya SiC

Maelezo Fupi:

Muundo wa Ufungaji: DPAK (TO-252AA)

Utangulizi: YUNYI DPAK (TO-252AA) SiC Diode, ambayo imetengenezwa kutoka kwa vifaa vya silicon carbide, ina conductivity ya juu ya mafuta na uwezo mkubwa wa kuhamisha joto, inafaa zaidi kuboresha msongamano wa nguvu ya kifaa cha nguvu, hivyo inafaa zaidi kwa kufanya kazi katika mazingira ya joto la juu.Nguvu ya juu ya shamba la kuvunjika kwa diode za SiC huongeza voltage ya kuhimili na kupunguza ukubwa, na nguvu ya juu ya shamba la kuvunjika kwa elektroniki huongeza voltage ya kuvunjika kwa vifaa vya nguvu vya semiconductor.Wakati huo huo, kwa sababu ya kuongezeka kwa nguvu ya shamba la kuvunjika kwa elektroni, katika kesi ya kuongeza wiani wa kupenya kwa uchafu, upanaji wa eneo la drift la kifaa cha nguvu cha diode ya SiC inaweza kupunguzwa, ili saizi ya kifaa cha nguvu. inaweza kupunguzwa.

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Kufuatilia muda wa majibu

Upeo wa kupima

Lebo za Bidhaa

Faida za DPAK ya YUNYI (TO-252AA) SiC Diode:

1. Gharama ya ushindani na ubora wa hali ya juu

2. Ufanisi wa juu wa uzalishaji na muda mfupi wa kuongoza

3. Ukubwa mdogo, kusaidia kuongeza nafasi ya bodi ya mzunguko

4. Imara na ya kuaminika chini ya mazingira mbalimbali ya asili

5. Chip ya kujitegemea yenye hasara ya chini

Taratibu za utengenezaji wa chip:

1. Uchapishaji wa Kimechani (Uchapishaji wa kaki wa kiotomatiki kwa usahihi kabisa)

2. Uwekaji wa Kiotomatiki wa Kwanza (Kifaa cha Kuunganisha Kiotomatiki，CPK>1.67)

3. Jaribio la Kiotomatiki la Polarity (Mtihani Sahihi wa Polarity)

4. Mkutano wa Kiotomatiki (Mkusanyiko wa Usahihi wa Kiotomatiki)

5. Uchimbaji (Ulinzi na Mchanganyiko wa Nitrojeni na Uvujaji wa Haidrojeni)

6. Uchongaji wa Pili wa Kiotomatiki (Mchoro wa Pili Kiotomatiki na Maji Safi Sana)

7. Uunganishaji Kiotomatiki (Uunganishaji Sawa & Hesabu Sahihi Hutambuliwa na Kifaa cha Kuunganisha Kiotomatiki Sahihi)

8. Jaribio la Kiotomatiki la Joto (Uteuzi wa Kiotomatiki na Kijaribu cha Joto)

9. Jaribio la Kiotomatiki (Kijaribu chenye kazi nyingi)

Vigezo vya bidhaa:

Nambari ya Sehemu	Kifurushi	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRD5650	DPAK	650	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650	6	70	3 (0.03 kawaida)	1.7(kawaida 1.5)
ZICRD10650CT	DPAK	650	10	60	60	1.7
ZICRD10650	DPAK	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRD12600	DPAK	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650	3	46	2 (0.03 kawaida)	1.7(1.4 ya kawaida)
Z3D10065E	DPAK	650	10	115	40 (0.7 ya kawaida)	1.7(kawaida 1.45)
Z4D04120E	DPAK	1200	4	46	200 (20 kawaida)	1.8(1.5 ya kawaida)
Z4D05120E	DPAK	1200	5	46	200 (20 kawaida)	1.8(kawaida 1.65)
Z4D02120E	DPAK	1200	2	44	50 (10 ya kawaida)	1.8(1.5 ya kawaida)
Z4D10120E	DPAK	1200	10	105	200 (30 ya kawaida)	1.8(1.5 ya kawaida)
Z4D08120E	DPAK	1200	8	64	200 (35 ya kawaida)	1.8(1.6 ya kawaida)
Z3D10065E2	DPAK	650	10	70 (kwa mguu)	8(0.002 kawaida)(kwa kila mguu)	1.7(1.5 ya kawaida)(kwa kila mguu)