D2PAK (TO-263) ya SiC Diode ya Kutegemewa Sana na Iliyoundwa Mwenyewe

Inayoaminika Sana na Iliyoundwa Mwenyewe ya D2PAK (TO-263) Picha Iliyoangaziwa ya Diode ya SiC

Maelezo Fupi:

Muundo wa Ufungaji: D2PAK (TO-263)

Utangulizi: YUNYI D2PAK (TO-263) SiC Diode, ambayo imetengenezwa kutoka kwa vifaa vya silicon carbudi, ina conductivity ya juu ya mafuta, ambayo inaweza kuboresha kwa ufanisi wiani wa nguvu. Nguvu ya juu ya shamba la kuvunjika kwa diode za SiC huongeza voltage ya kuhimili na kupunguza ukubwa, na nguvu ya juu ya shamba la kuvunjika kwa elektroniki huongeza voltage ya kuvunjika kwa vifaa vya nguvu vya semiconductor. Wakati huo huo, kwa sababu ya kuongezeka kwa nguvu ya shamba la kuvunjika kwa elektroni, katika kesi ya kuongeza wiani wa kupenya kwa uchafu, upanaji wa eneo la drift la kifaa cha nguvu cha diode ya SiC inaweza kupunguzwa, ili saizi ya kifaa cha nguvu. inaweza kupunguzwa.

Tutumie barua pepe

Maelezo ya Bidhaa

Kufuatilia muda wa majibu

Upeo wa kupima

Lebo za Bidhaa

Manufaa ya D2PAK ya YUNYI (TO-263) SiC Diode:

1. Inductance ya chini

2. Gharama ya ushindani na ubora wa hali ya juu.

3. Ufanisi mkubwa wa uzalishaji na muda mfupi wa kuongoza.

4. Ukubwa mdogo, kusaidia kuongeza nafasi ya bodi ya mzunguko

Hatua za utengenezaji wa chip:

1. Uchapishaji Kimechani (Uchapishaji wa kaki wa kiotomatiki kwa usahihi kabisa)

2. Uwekaji wa Kiotomatiki wa Kwanza (Kifaa cha Kuunganisha Kiotomatiki，CPK>1.67)

3. Jaribio la Kiotomatiki la Polarity (Mtihani Sahihi wa Polarity)

4. Mkutano wa Kiotomatiki (Mkusanyiko wa Usahihi wa Kiotomatiki)

5. Uchimbaji (Ulinzi na Mchanganyiko wa Nitrojeni na Upasuaji wa Hidrojeni)

6. Uchongaji wa Pili wa Kiotomatiki (Mchoro wa Pili Kiotomatiki na Maji Safi Sana)

7. Uunganishaji Kiotomatiki (Uunganishaji Sawa & Hesabu Sahihi Hutambuliwa na Kifaa cha Kuunganisha Kiotomatiki Sahihi)

8. Jaribio la Kiotomatiki la Joto (Uteuzi wa Kiotomatiki na Kijaribu cha Joto)

9. Jaribio la Kiotomatiki (Kijaribu chenye kazi nyingi)

Vigezo vya bidhaa:

Nambari ya Sehemu	Kifurushi	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRB5650	D2PAK	650	5	60	60	2
ZICRB6650	D2PAK	650	6	60	50	2
Z3D06065G	D2PAK	650	6	70	3 (0.03 kawaida)	1.7(kawaida 1.5)
ZICRB10650CT	D2PAK	650	10	60	60	1.7
ZICRB10650	D2PAK	650	10	110	100	1.7
Z3D10065G	D2PAK	650	10	115	40 (0.7 ya kawaida)	1.7(kawaida 1.45)
ZICRB20650A	D2PAK	650	20	70	100	1.7
ZICRB101200	D2PAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRB12600	D2PAK	600	12	50	150	1.7
ZICRB12650	D2PAK	650	12	50	150	1.7
Z3D30065G	D2PAK	650	30	255	140 (4 kawaida)	1.7(1.4 ya kawaida)
Z4D05120G	D2PAK	1200	5	19	200 (20 kawaida)	1.8(kawaida 1.65)
Z4D20120G	D2PAK	1200	20	162	200 (35 ya kawaida)	1.8(1.5 ya kawaida)
Z3D20065G	D2PAK	650	20	170	50 (kawaida 1.5)	1.7(kawaida 1.45)
Z3D06065L	DFN8×8	650.0	6.0	70.0	3 (0.03 kawaida)	1.7(kawaida 1.5)